DMC501010R全国供应商【买卖IC网】DMC501010R资料|PDF Datasheet|价格 Panasonic

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批号
价格
说明
操作

DMC501010R
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
PANASONIC/松下
SOT353
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

DMC501010R
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9733
PANASONIC
SOT353
11+
-
绝对公司原装现货

DMC501010R
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
23785
Panasonic Electronic Comp
5-SMD, Flat Leads
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

DMC501010R
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品价格极优电话010-62104...

DMC501010R
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2850
PANASONIC
ROHS
201333
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

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功能描述
两极晶体管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

DMC501010R 技术参数

DMC-40202NY-LY-AZE-BDN 功能描述:Character LCD Display Module Transmissive 5 x 8 Dots STN - Super-Twisted Nematic LED - Yellow/Green Parallel 182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件状态:过期字符数:80 显示格式:40 x 2 字符格式:5 x 8 点显示类型:STN - 超扭转向列显示模式:可传导的字符大小:- 外形尺寸 L x W x H:182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 可视范围:152.50mm 长 x 16.50mm 宽背光:LED - 黄/绿电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 点尺寸:- 接口:并联工作温度:0°C ~ 50°C 文字颜色:黄背景颜色:绿标准包装:140 DMC4015SSD-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.6A，6.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1810pF @ 20V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMC3021LSDQ-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A，7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMC25D1UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:25V，12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA，3.9A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:27.6pF @ 10V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 标准包装:1 DMC25D0UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:25V，30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA，3.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:26.2pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 标准包装:1 DMC561040R DMC561050R DMC561060R DMC561070R DMC5610E0R DMC5610L0R DMC5610M0R DMC5610N0R DMC562000R DMC562050R DMC564000R DMC564010R DMC564020R DMC564030R DMC564040R DMC564050R DMC564060R DMC564070R

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