配单专家企业名单

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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DMN3029LFG-13
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
DIODES
SOP8
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

DMN3029LFG-13
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
24100
DIODES
SOP8
24+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

DMN3029LFG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
DIODES
DFN33
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！

DMN3029LFG-13
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
24680
5980
POWERDI3333
新批次
-
原包装进口假一赔十

DMN3029LFG-13
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
1625
DIODES
POWERDI3333-8
16+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

DMN3029LFG-7
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

DMN3029LFG-13
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
Diodes
近两年生产
8-PowerVDF
-
每一片都来自原厂

DMN3029LFG-13
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3500
DIODES
SOP8
1115+
-
全新原装现货

DMN3029LFG-13
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
2200
原装DIODES
QFN
假一赔十！
-
绝对原装现货！

DMN3029LFG-13
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
DIODES/美台
NA
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

DMN3029LFG-13
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
2200
原装DIODES
QFN
2012+
-
只做原装正品。

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制造商
DIODES
制造商全称
Diodes Incorporated
功能描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMN3029LFG 技术参数

DMN3024LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMN3005LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4342pF @ 15V 功率 - 最大值:1.68W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:1 DMN2300UFD-7 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:67.62pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 900mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:X1-DFN1212-3 封装/外壳:3-UDFN 标准包装:1 DMMT5551-7 功能描述:TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:2 NPN（双）配对电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:3,000 DMM-B-44/100 功能描述:FUSE CARTRIDGE 440MA 1KVAC/VDC 制造商:eaton 系列:DMM-B 包装:散装零件状态:有效保险丝类型:盒额定电流:440mA 额定电压 - AC:1000V（1kV）额定电压 - DC:1000V（1kV）响应时间:快速应用:万用表特性:- 类别:- 认可:UL 工作温度:- 不同额定电压时的熔断能力:10kA 安装类型:支座封装/外壳:盒，非标准大小/尺寸:0.394" 直径 x 1.374" 长（10.00mm x 34.90mm）融断 I2t:- DC 冷态电阻:- 标准包装:1 DMN3032LFDBQ-7 DMN3033LDM-7 DMN3033LSD-13 DMN3033LSDQ-13 DMN3033LSN-7 DMN3033LSNQ-13 DMN3033LSNQ-7 DMN3035LWN-13 DMN3035LWN-7 DMN3042L-13 DMN3042L-7 DMN3042LFDF-13 DMN3042LFDF-7 DMN3050S-7 DMN3051L-7 DMN3051LDM-7 DMN3052L-7 DMN3052LSS-13

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