配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DMP2104LPDI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
DIODES
DFN1411-3
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

DMP2104LP-7
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
92
DIODES INCORPORATED
con
24+
-
场效应管

DMP2104LP-7
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
92
DIODES INCORPORATED
con
24+
-
场效应管

DMP2104LP-7
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
201000
DIODES/美台
Reel
23+
-
DIODES授权代理商

DMP2104LP-7
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Diodes
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

DMP2104LP-7
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
24680
5980
DFN-3
新批次
-
原包装进口假一赔十

DMP2104LP-7
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
1915
DIODES
DFN-3
1040+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

DMP2104LP-7
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

DMP2104LP-7
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
DIODES
近两年生产
DFN-3
-
每一片都来自原厂

DMP2104LP-7
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
DIODES/美台
QFN
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

DMP2104LP-7
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
3000
DIODES
DFN
2012+
-
只做原装正品。

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制造商
DIODES
制造商全称
Diodes Incorporated
功能描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DMP2104LP 技术参数

DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:54 毫欧 @ 2.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN2015H4-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:48.7nC @ 8V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2530pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 6.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 DMP1555UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.84nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:55.4pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP-1.0 X 1.5 X 0.25 功能描述:RF Shield 2 Piece 1.500" (38.10mm) X 1.000" (25.40mm) Solid Solder and Snap On 制造商:fotofab 系列:- 包装:散装零件状态:停产类型:2 件高度 - 总:0.250"（6.35 mm）长度 - 总:1.000"（25.40mm）宽度 - 总:1.500"（38.10mm）通风:实心安装类型:焊接式和卡入式标准包装:1 DMP-1.0 X 1.0 X 0.25 功能描述:RF Shield 2 Piece 1.000" (25.40mm) X 1.000" (25.40mm) Solid Solder and Snap On 制造商:fotofab 系列:- 包装:散装零件状态:停产类型:2 件高度 - 总:0.250"（6.35 mm）长度 - 总:1.000"（25.40mm）宽度 - 总:1.000"（25.40mm）通风:实心安装类型:焊接式和卡入式标准包装:1 DMP2130LDM-7 DMP213DUFA-7B DMP2160U-7 DMP2160UFDB-7 DMP2160UFDBQ-7 DMP2160UW-7 DMP2170U-13 DMP2170U-7 DMP21D0UFB4-7B DMP21D0UFB-7 DMP21D0UFD-7 DMP21D0UT-7 DMP21D2UFA-7B DMP21D5UFB4-7B DMP21D5UFD-7 DMP21D6UFD-7 DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-7

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