DRV592EVM

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说明
操作

DRV592EVM
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
16+
-
百分百原装假一罚十

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1

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功能描述
EVALUATION MODULE FOR DRV592
RoHS
是
类别
编程器，开发系统 >> 过时/停产零件编号
系列
-
标准包装
1
系列
*

DRV592EVM 技术参数

DRV591VFPRG4 功能描述:功率驱动器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV591VFPR 功能描述:功率驱动器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV591VFPG4 功能描述:功率驱动器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV591VFP 功能描述:功率驱动器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV591EVM 功能描述:DRV591 - Power Management, Half H-Bridge Driver (Internal FET) Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:- 零件状态:有效主要用途:电源管理，半 H 桥驱动器（内部 FET）嵌入式:否使用的 IC/零件:DRV591 主要属性:+/-3 A，2.8 ~ 5.5 V，用于热电冷却器（TEC）或激光二极管辅助属性:过电流，欠电压和热保护，100 或 500 kHz PWM 频率所含物品:板标准包装:1 DRV595EVM DRV600EVM DRV600RTJR DRV600RTJT DRV600RTJTG4 DRV601EVM DRV601EVM2 DRV601RTJR DRV601RTJRG4 DRV601RTJT DRV602EVM2 DRV602PW DRV602PWR DRV603EVM DRV603PW DRV603PWR DRV604PWP DRV604PWPEVM