DRV8307EVM

配单专家企业名单

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说明
操作

DRV8307EVM
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
16+
-
百分百原装假一罚十

DRV8307EVM
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
品牌IC供应商电话010-621049...

DRV8307EVM
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

DRV8307EVM
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
2
专营TI
假一赔十！
-
原装自己现货！！

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1

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功能描述
DRV8307 - Power Management, Motor Control Evaluation Board
制造商
texas instruments
系列
-
零件状态
有效
主要用途
电源管理，电机控制
嵌入式
-
使用的 IC/零件
DRV8307
主要属性
无刷直流（BLDC）电机
辅助属性
电位器速度控制
所含物品
板
标准包装
1

DRV8307EVM 技术参数

DRV8305-Q1EVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 DRV8305NQPHPRQ1 功能描述:IC GATE DRIVER 3-PHASE 制造商:texas instruments 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.4 V ~ 45 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TQFP 裸露焊盘供应商器件封装:48-HTQFP（7x7）标准包装:1 DRV8305NPHPR 功能描述:IC GATE DRIVER 3PHASE 48HTQFP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.4 V ~ 45 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TQFP 裸露焊盘供应商器件封装:48-HTQFP（7x7）标准包装:1 DRV8305NEPHPRQ1 功能描述:IC GATE DRIVER 3-PHASE 制造商:texas instruments 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.4 V ~ 45 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TQFP 裸露焊盘供应商器件封装:48-HTQFP（7x7）标准包装:1 DRV83055QPHPRQ1 功能描述:IC GATE DRIVER 3-PHASE 制造商:texas instruments 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.4 V ~ 45 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TQFP 裸露焊盘供应商器件封装:48-HTQFP（7x7）标准包装:1 DRV8312DDWR DRV8313EVM DRV8313PWP DRV8313PWPR DRV8313RHH DRV8313RHHR DRV8320HRTVR DRV8320HRTVT DRV8320RHRHAR DRV8320RHRHAT DRV8320RSRHAR DRV8320RSRHAT DRV8320SRTVR DRV8320SRTVT DRV8323HRTAR DRV8323HRTAT DRV8323RHRGZR DRV8323RHRGZT