EC4A01TF-4-B-TR-H

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EC4A01TF-4-B-TR-H
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
SANYO
E-CSP10
22+
-
全新原装现货供应

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EC4A01TF-4-B-TR-H 技术参数

EC4943-000 功能描述:11320000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件状态:有效配件类型:载体，线缆和导线标记器配套使用产品/相关产品:K-Type? 线缆标记材料:PVC 特性:7 字符长标准包装:500 EC4942-000 功能描述:11310000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件状态:有效配件类型:载体，线缆和导线标记器配套使用产品/相关产品:K-Type? 线缆标记材料:PVC 特性:12 字符长标准包装:500 EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:224 毫欧 @ 600mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-XFDFN 供应商器件封装:0503（1308 公制）标准包装:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.9 欧姆 @ 100mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-UFDFN 供应商器件封装:4-ECSP1008 标准包装:1 EC41/19/12-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件状态:在售内核类型:EC 容差:- 间隙:- 材料:3C94 表面:无涂层供应商器件封装:EC 41 x 19 x 12 高度:19.50mm 长度:41.60mm 宽度:11.60mm 直径:- 标准包装:300 EC5004-000 EC5005-000 EC5006-000 EC5007-000 EC5008-000 EC5009-000 EC5010-000 EC5011-000 EC5012-000 EC5013-000 EC5014-000 EC5015-000 EC5016-000 EC5017-000 EC5018-000 EC5019-000 EC5020-000 EC5025-000