ECHU1H182JXG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

ECHU1H182JXG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
2000
PANASONIC
0805-182
08+
-
全新原装100%正品保证质量

ECHU1H182JXG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
2000
PANASONIC
0805-182
08+
-
全新原装100%正品保证质量

ECHU1H182JXG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PANASONIC
0805-182
08+
-
全新原装100%正品保证质量

1/1页 40条/页共7条
1

您是不是要找： ECH-U1H183GB5 ECH-U1H183GX5 ECH-U1H183JB5 ECH-U1H183JX5 ECH-U1H184GC9 ECH-U1H184GX9 ECH-U1H184JC9 ECH-U1H184JX9 ECH-U1H221GB5

ECHU1H182JXG PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ECHU1H182JXG 技术参数

ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH-U1H221GX5 ECH-U1H221JB5 ECH-U1H221JX5 ECH-U1H222GB5 ECH-U1H222GX5 ECH-U1H222JB5 ECH-U1H222JX5 ECH-U1H223GB5 ECH-U1H223GX5 ECH-U1H223JB5 ECH-U1H223JX5 ECH-U1H224GC9 ECH-U1H224GX9 ECH-U1H224JC9 ECH-U1H224JX9 ECH-U1H271GB5 ECH-U1H271GX5 ECH-U1H271JB5