GA03SLT12-220

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制造商
GENESIC SEMICONDUCTOR
功能描述
DIODE SIC RECTI 1200V 3A TO-220
制造商
GENESIC SEMICONDUCTOR
功能描述
DIODE, SIC, RECTI, 1200V, 3A, TO-220

GA03SLT12-220 技术参数

GA03JT12-247 功能描述:TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）（95°C）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 3A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:91W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AB 标准包装:30 GA03IDDJT30-FR4 功能描述:- Power Management, Gate Driver Evaluation Board 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件状态:有效主要用途:电源管理，栅极驱动器嵌入式:- 使用的 IC/零件:- 主要属性:隔离辅助属性:- 所含物品:板标准包装:100 GA0381M 功能描述:8 Ohm Magnetic Speaker 200mW 800Hz ~ 9kHz Top Round 79dB 制造商:cui inc. 系列:GA 零件状态:有效类型:磁性频率范围:800Hz ~ 9kHz 阻抗:8 欧姆声压级:79dB 功率 - 额定值:200mW 功率 - 最大值:400mW 端口位置:顶部形状:圆形材料 - 锥体:PET 材料 - 磁铁:铝镍钴合金 (AlNiCo) 端接:焊接孔眼大小/尺寸:38.00mm 直径高度:17.30mm 标准包装:1,000 GA01PNS80-220 功能描述:DIODE SILICON CARBIDE 8KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:8000V 电流 - 最大值:2A 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 1000V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:轴向供应商器件封装:- 标准包装:10 GA01PNS150-220 功能描述:DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:15000V 电流 - 最大值:1A 不同?Vr，F 时的电容:7pF @ 1000V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:轴向供应商器件封装:- 标准包装:10 GA0576 GA0576M GA05JT01-46 GA05JT03-46 GA05JT12-247 GA05JT12-263 GA060TH65 GA060TH65-227SP GA0666 GA0666M GA06JT12-247 GA0701 GA0701M GA0729 GA0771M GA0776 GA0776M GA080TH65