GA1A1S100WP全国供应商【买卖IC网】GA1A1S100WP资料|PDF Datasheet|价格

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GA1A1S100WP
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
SHARP
原厂原封装
20+
-
原装库存，全新进口，可电13689551...

GA1A1S100WP
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
88173
Sharp Microelectronics
4-SMD, No Lead
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

GA1A1S100WP
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SHARP原装
原厂封装
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

GA1A1S100WP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Sharp Microelectronics
标准封装
16+
-
假一罚十百分百原装正品

GA1A1S100WP
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
9880
SHARP
SMD
-
原装现货/特价

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制造商
SHARP
功能描述
OPTICAL LIGHT DETECTOR
制造商
Sharp Microelectronics Corporation
功能描述
OPTICAL LIGHT DETECTOR
制造商
Sharp Microelectronics Corporation
功能描述
OPTICAL LIGHT DETECTOR; Output Current
制造商
Sharp Microelectronics Corporation
功能描述
Ambient Light Sensor 555nm 1420uA

GA1A1S100WP 技术参数

GA16JT17-247 功能描述:TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）（90°C）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 16A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:282W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AB 标准包装:30 GA15IDDJT22-FR4 功能描述:- Power Management, Gate Driver Evaluation Board 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件状态:有效主要用途:电源管理，栅极驱动器嵌入式:- 使用的 IC/零件:- 主要属性:隔离辅助属性:- 所含物品:板标准包装:100 GA-14 功能描述:1700pF 10000V（10kV）陶瓷电容器 Z5T 按钮 1.575" 直径 x 0.630" 长（40.00mm x 16.00mm）制造商:tdk corporation 系列:GA 包装:散装零件状态:有效电容:1700pF 容差:±10% 电压 - 额定:10000V（10kV）温度系数:Z5T 安装类型:需要支座工作温度:10°C ~ 85°C 应用:通用等级:- 封装/外壳:按钮大小/尺寸:1.575" 直径 x 0.630" 长（40.00mm x 16.00mm）高度 - 安装（最大值）:- 厚度（最大值）:- 引线间距:- 特性:高电压，低耗散因子引线形式:- 标准包装:50 GA10SICP12-263 功能描述:TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 10A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1403pF @ 800V 功率 - 最大值:170W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:50 GA10SICP12-247 功能描述:SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件状态:有效类型:- 配置:- 电流:10A 电压:1200V 电压 - 隔离:- 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 GA2.2K3A1A GA2.2K3A1IA GA2.2K3D210 GA200-001PD GA200-005WD GA200-010WD GA200-015WD GA200SA60S GA200SA60U GA20JT12-247 GA20JT12-263 GA20SICP12-247 GA20SICP12-263 GA242QR7E2102MW01L GA242QR7E2471MW01L GA243DR7E2472MW01L GA243DR7E2473MW01L GA243QR7E2103MW01L

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