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GT50J102(Q)

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    GT50J102(Q)

  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

    地址:办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

  • 266

  • TOSHIBA

  • 原厂

  • 21+

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  • 百分百进口原装现货,价格有优势。

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT 晶体管 IGBT 600V 50A
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 650 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 2.3 V
  • 栅极/发射极最大电压
  • 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流
  • 150 A
  • 栅极—射极漏泄电流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作温度
  • 封装 / 箱体
  • TO-247
  • 封装
  • Tube
GT50J102(Q) 技术参数
配单专家

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