IR2103STRPBF,IR2103STR,IR2103S

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " IR2103STRPBF,IR2103STR,IR2103S " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： IR2104 IR2104PBF IR2104S IR2104SPBF IR2104STR IR2104STRPBF IR2105 IR2105S IR2105STR

IR2103STRPBF,IR2103STR,IR2103S PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IR2103STRPBF,IR2103STR,IR2103S 技术参数

IR2103STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Driver 520ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR2103STR 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IR2103SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 130mA 680ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR2103S 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IR2103PBF 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Driver 520ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR2106 IR21064 IR21064PBF IR21064S IR21064SPBF IR21064STR IR21064STRPBF IR2106PBF IR2106S IR2106SPBF IR2106STR IR2106STRPBF IR2107 IR21074 IR21074S IR2107S IR2107STR IR2108