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IR25604SPBF

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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
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  • 功能描述
  • 功率驱动器IC 600V High Low Side 200mA 350mA 10-20V
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 产品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 类型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升时间
  • 下降时间
  • 电源电压-最大
  • 30 V
  • 电源电压-最小
  • 2.75 V
  • 电源电流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作温度
  • + 85 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOIC-8
  • 封装
  • Tube
IR25604SPBF 技术参数
  • IR25603STRPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V Half Bridge 80 40 ns 15.6V 1.2us RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR25603SPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V Half Bridge 80 40 ns 15.6V 1.2us RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR25603PBF 功能描述:功率驱动器IC 600V Half Bridge 80 40 ns 15.6V 1.2us RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR25602STRPBF 功能描述:功率驱动器IC 2Ch 600V Half Bridge 130mA 10-20V 520ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR25602SPBF 功能描述:功率驱动器IC 2Ch 600V Half Bridge 130mA 10-20V 520ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR26-21C/L110/TR8 IR26-51C/L110/TR8 IR267 IR2C91B1 IR2D07 IR2D08F1 IR2D17F IR2D18H IR2D20U IR2D35W IR2D37F1 IR2E46Y6 IR2E49U IR2E49U6 IR2E51Y6 IR2E53Y6 IR300UV IR3080M
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