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IRG4BH20K-L

配单专家企业名单
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  • IRG4BH20K-L
    IRG4BH20K-L

    IRG4BH20K-L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • I2PAK/TO-262

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • IRG4BH20K-L
    IRG4BH20K-L

    IRG4BH20K-L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • IRG4BH20K-LPBF
    IRG4BH20K-LPBF

    IRG4BH20K-LPBF

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人：李先生

    电话：13760200702

    地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质：营业执照

  • 26

  • IR

  • TO-262

  • 假一赔十！！

  • -

  • 绝对原装现货！

  • IRG4BH20K-LPBF
    IRG4BH20K-LPBF

    IRG4BH20K-LPBF

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人：骆小姐

    电话：18124020586

    地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A

  • 87254

  • Infineon Technologies

  • TO-262-3 Long Leads,

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • IRG4BH20K-L
    IRG4BH20K-L

    IRG4BH20K-L

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人：高先生/周小姐/曹先生

    电话：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 4729

  • Infineon Technologies

  • TO-262-3 Long Leads,

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • IRG4BH20K-LPBF
    IRG4BH20K-LPBF

    IRG4BH20K-LPBF

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 只做原装正品 欢迎洽谈 电话010-62...

  • IRG4BH20K-L
    IRG4BH20K-L

    IRG4BH20K-L

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • IR

  • TO-262

  • 07/08+

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品，质量保障

  • IRG4BH20K-L
    IRG4BH20K-L

    IRG4BH20K-L

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • TO-262

  • 19+

  • -

  • 代理直销！进口原装正品！

  • IRG4BH20K-LPBF
    IRG4BH20K-LPBF

    IRG4BH20K-LPBF

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 5000

  • INTERNATI

  • RAIL / TUBE

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • IRG4BH20K-LPBF
    IRG4BH20K-LPBF

    IRG4BH20K-LPBF

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人：丁皓鹏

    电话：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质：营业执照

  • 100000

  • Internation.Rectifer

  • N/A

  • 15+

  • -

  • 原装正品 价格优势！

  • IRG4BH20K-L
    IRG4BH20K-L

    IRG4BH20K-L

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人：林小姐//方先生

    电话：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知

  • 5

  • IR

  • TO-262

  • 2012+

  • -

  • 只做原装正品。

  • IRG4BH20K-L
    IRG4BH20K-L

    IRG4BH20K-L

  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人：柯先生/赵小姐

    电话：0755-83665813

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B

    资质：营业执照

  • 63

  • IR

  • TO-262

  • 0801+

  • -

  • 正品原装现货

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  • 功能描述
  • IGBT UFAST 1200V 11A TO-262
  • RoHS
  • 否
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
  • 1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
  • 3V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 输入类型
  • 标准
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-247-3
  • 供应商设备封装
  • PLUS247?-3
  • 包装
  • 管件
IRG4BH20K-L 技术参数
  • IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18.4A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:128nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2980pF @ 25V 功率 - 最大值:220W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2000pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:158nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRG4IBC20KD IRG4IBC20KDPBF IRG4IBC20UDPBF IRG4IBC20W IRG4IBC20WPBF IRG4IBC30FD IRG4IBC30FDPBF IRG4IBC30KD IRG4IBC30KDPBF IRG4IBC30S IRG4IBC30SPBF IRG4IBC30UD IRG4IBC30UDPBF IRG4IBC30W IRG4IBC30WPBF IRG4P254S IRG4P254SPBF IRG4PC20U
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