IS61WV2568EDBLL-10BLI

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IS61WV2568EDBLL-10BLI
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
726901
ISSI(美国芯成)
TFBGA-36(6x8)
22+
-

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深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
726901
ISSI(美国芯成)
TFBGA-36(6x8)
22+
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IS61WV2568EDBLL-10BLI 技术参数

IS61WV25632BLL-10BLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx32 10ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV25632BLL-10BLI 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx32 10ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb (256K x 16) 8ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV25616EDBLL-8TLI 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb (256K x 16) 8ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV25616EDBLL-8BLI 功能描述:IC SRAM 4MB 8NS 3.3V HS 48MBGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:4M（256K x 16）速度:8ns 接口:并联电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:48-TFBGA 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）标准包装:480 IS61WV51216BLL-10MLI IS61WV51216BLL-10MLI-TR IS61WV51216BLL-10TLI IS61WV51216BLL-10TLI-TR IS61WV51216EDALL-20BLI IS61WV51216EDALL-20BLI-TR IS61WV51216EDALL-20TLI IS61WV51216EDALL-20TLI-TR IS61WV51216EDBLL-10BLI IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR IS61WV51216EDBLL-10TLI IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR IS61WV51216EDBLL-8BLI IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR IS61WV51216EDBLL-8TLI IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR IS61WV51232BLL-10BLI IS61WV51232BLL-10BLI-TR