IXDN609CI全国供应商【买卖IC网】IXDN609CI资料|PDF Datasheet|价格

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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

IXDN609CI
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
IXYS
TO-220
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

IXDN609CI
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-621049316210489162104578
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
IXYS Integrated Circuits
标准封装
16+
-
假一罚十

IXDN609CI
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
26550
IXYS
正品封装
23+
-
正规商现货供应

IXDN609CI
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
7200
IXYS
TO-220
14+
-
全新原装现货

IXDN609CI
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
10001
IXYS Integrated Circuits
TO-220-5 成形引线
12+
-
授权分销现货热卖

IXDN609CI
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
369
IXYS Integrated Circuits
TO-220-5
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

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1

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功能描述
IC GATE DVR 9A NON-INV TO220-5
RoHS
是
类别
集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列
-
标准包装
5
系列
-
配置
低端
输入类型
非反相
延迟时间
600ns
电流 - 峰
12A
配置数
1
输出数
1
高端电压 - 最大（自引导启动）
-
电源电压
14.2 V ~ 15.8 V
工作温度
-20°C ~ 60°C
安装类型
通孔
封装/外壳
21-SIP 模块
供应商设备封装
模块
包装
散装
配用
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
其它名称
835-1063

IXDN609CI 技术参数

IXDN604SITR 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN604SIATR 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN604SIA 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN604SI 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN604PI 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN614SITR IXDN614YI IXDN630CI IXDN630MCI IXDN630MYI IXDN630YI IXDN75N120 IXDP20N60B IXDP20N60BD1 IXDP35N60B IXDP610PI IXDP630PI IXDP631PI IXDR30N120 IXDR30N120D1 IXDR35N60BD1 IXDR502D1B IXDS430SI

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