JAN1N331

配单专家企业名单

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说明
操作

JAN1N3312B
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
MICROSEMI
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

JAN1N3310B
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
DO-203AB
23+
-
微芯专营优势产品

JAN1N3316RB
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
17784
Microchip Technology
DO-203AB, DO-5, Stud
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

JAN1N3310B
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
18746
Microchip Technology
DO-203AB, DO-5, Stud
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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JAN1N331 技术参数

JAN1N3174 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 300A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/211 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:300A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.55V @ 940A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10mA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JAN1N3045DUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB（MELF，LL41）标准包装:1 JAN1N3045D-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JAN1N3045CUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB（MELF，LL41）标准包装:1 JAN1N3045C-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JAN1N3339B JAN1N3595-1 JAN1N3595A-1 JAN1N3595AUR-1 JAN1N3595AUS JAN1N3595UR-1 JAN1N3600 JAN1N3611 JAN1N3612 JAN1N3613 JAN1N3614 JAN1N3644 JAN1N3645 JAN1N3646 JAN1N3647 JAN1N3671A JAN1N3671AR JAN1N3671R