JAN1N649-1全国供应商【买卖IC网】JAN1N649-1资料|PDF Datasheet|价格 Microsemi

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说明
操作

JAN1N649-1
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
DO-204AH
23+
-
微芯专营优势产品

JAN1N649-1
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9894
MSC
05+
-
绝对公司原装现货

JAN1N649-1/TR
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
56754
Microchip Technology
DO-204AH, DO-35, Axi
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

JAN1N649-1
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
81301
Microchip / Microsemi
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

JAN1N649-1
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
100
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

JAN1N649-1
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
TI
SOP14
15+
-
原装正品，价格优势！

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 600V 0.4A 2-Pin DO-35
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STD RECOVERY RECTFR 600V 0.4A 2PIN DO-35 - Bulk
制造商
Microsemi
功能描述
Diode Switching 600V 0.4A 2-Pin DO-35

JAN1N649-1 技术参数

JAN1N6490US 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 JAN1N6490 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JAN1N6485US 功能描述:Zener Diode 3.3V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 JAN1N6476US 功能描述:TVS DIODE 51.6VWM GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:51.6V 电压 - 击穿（最小值）:54V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:107A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）标准包装:1 JAN1N6476 功能描述:TVS DIODE 51.6VWM GPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:51.6V 电压 - 击穿（最小值）:54V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:107A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 JAN1N6622U JAN1N6622US JAN1N6623 JAN1N6623U JAN1N6623US JAN1N6624 JAN1N6624U JAN1N6624US JAN1N6625 JAN1N6625U JAN1N6625US JAN1N6626 JAN1N6626U JAN1N6626US JAN1N6627 JAN1N6627U JAN1N6627US JAN1N6628