JAN2N5012

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

JAN2N5012
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9331
MOT
CAN
12+
-
绝对公司原装现货

JAN2N5012
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
92532
Microsemi Corporation
TO-205AA, TO-5-3 Met
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

JAN2N5012
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
MOT
CAN3
15+
-
百分百原装假一罚十

JAN2N5012
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
MOT
CAN3
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans GP BJT NPN 0.2A 3-Pin TO-5
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN TRANSISTOR - Bulk

JAN2N5012 技术参数

JAN2N5005 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/535 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:接线柱安装封装/外壳:TO-210AA，TO-59-4，接线柱供应商器件封装:TO-59 标准包装:1 JAN2N5004 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/534 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:接线柱安装封装/外壳:TO-210AA，TO-59-4，接线柱供应商器件封装:TO-59 标准包装:1 JAN2N5003 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/535 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:接线柱安装封装/外壳:TO-210AA，TO-59-4，接线柱供应商器件封装:TO-59 标准包装:1 JAN2N5002 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/534 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:接线柱安装封装/外壳:TO-210AA，TO-59-4，接线柱供应商器件封装:TO-59 标准包装:1 JAN2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 JAN2N5157 JAN2N5237 JAN2N5237S JAN2N5238 JAN2N5238S JAN2N5302 JAN2N5339 JAN2N5415 JAN2N5415S JAN2N5416 JAN2N5416S JAN2N5416UA JAN2N5581 JAN2N5582 JAN2N5662 JAN2N5663 JAN2N5664 JAN2N5665