JANS1N5819UR-1

配单专家企业名单

型号
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数量
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批号
价格
说明
操作

JANS1N5819UR-1
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
DO-213AB
23+
-
微芯专营优势产品

JANS1N5819UR-1
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
544
MIXE
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

JANS1N5819UR-1
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

JANS1N5819UR-1
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
MICROSEMI
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Schottky 45V 1A 2-Pin DO-213AB
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SPACE DIODE - Waffle Pack
制造商
Microsemi
功能描述
Diode Schottky 45V 1A 2-Pin DO-213AB

JANS1N5819UR-1 技术参数

JANS1N5819-1 功能描述:Diode Schottky 45V 1A Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/586 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:490mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:70pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 JANS1N5816 功能描述:Diode Schottky 150V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/478 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:300pF @ 10V，1MHz 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA（DO-4）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N5809 功能描述:Diode Standard 100V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N5806US 功能描述:Diode Standard 150V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N5806 功能描述:Diode Standard 150V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N6309D JANS1N6309DUS JANS1N6310C JANS1N6310CUS JANS1N6310D JANS1N6310DUS JANS1N6310US JANS1N6311 JANS1N6311C JANS1N6311CUS JANS1N6311CUS/TR JANS1N6311DUS JANS1N6311US JANS1N6311US/TR JANS1N6312 JANS1N6312C JANS1N6312CUS JANS1N6312CUS/TR