JANTX2N4857

配单专家企业名单

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价格
说明
操作

JANTX2N4857
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
374
Microsemi HI-REL [MIL]
2016+
-
公司现货！只做原装！

JANTX2N4857
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：老肖
电话：19925391361
地址：雅宝路1号星河world， A栋2203A
42321
Microsemi Corporation
TO-206AA, TO-18-3 Me
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

JANTX2N4857
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SILICONIX
★全新★
〓最新批号
-
假一罚十，百分百原装正品

JANTX2N4857A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
制造商
功能描述
制造商
INFNON
功能描述
制造商
Motorola Inc
功能描述
制造商
undefined
功能描述
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
JFET N-CH 40V 360MW TO-18

JANTX2N4857 技术参数

JANTX2N4856UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 175mA @ 15V 360mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:175mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:10V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:25 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 JANTX2N4854U 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6SMD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/421 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，无引线供应商器件封装:6-SMD 标准包装:1 JANTX2N4854 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A TO78 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/421 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-78-6 金属罐供应商器件封装:TO-78-6 标准包装:1 JANTX2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/317 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AB，TO-46-3 金属罐供应商器件封装:TO-46（TO-206AB）标准包装:1 JANTX2N4416AUB 功能描述:JFET N-Channel 35V 15mA @ 15V 300mW Surface Mount 4-SMD 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:35V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:15mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:6V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，无引线供应商器件封装:4-SMD 标准包装:1 JANTX2N5039 JANTX2N5109 JANTX2N5151 JANTX2N5151L JANTX2N5152 JANTX2N5152L JANTX2N5153 JANTX2N5153L JANTX2N5154 JANTX2N5154L JANTX2N5157 JANTX2N5237 JANTX2N5237S JANTX2N5238 JANTX2N5238S JANTX2N5302 JANTX2N5303 JANTX2N5339