JANTX2N4931全国供应商【买卖IC网】JANTX2N4931资料|PDF Datasheet|价格 Microsemi

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说明
操作

JANTX2N4931
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-205AD
23+
-
微芯专营优势产品

JANTX2N4931U4
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
5997
Microchip Technology
3-SMD, No Lead
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

JANTX2N4931
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
80660
Microchip / Microsemi
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

JANTX2N4931
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
原厂品牌
标准封装
05+
-
全新原装100%正品保证质量

JANTX2N4931
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
原厂品牌
标准封装
05+
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全新原装100%正品保证质量

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans GP BJT PNP 250V 0.2A 3-Pin TO-39
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT PNP 250V 0.2A 3PIN TO-39 - Bulk

JANTX2N4931 技术参数

JANTX2N4859 功能描述:JFET N-Channel 30V 175mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:175mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:10V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:25 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 JANTX2N4857UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 100mA @ 15V 360mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:100mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:6V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:40 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 JANTX2N4857 功能描述:JFET N-Channel 40V 100mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:100mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:6V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:40 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 JANTX2N4856UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 175mA @ 15V 360mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:175mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:10V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:25 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 JANTX2N4854U 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6SMD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/421 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，无引线供应商器件封装:6-SMD 标准包装:1 JANTX2N5151L JANTX2N5152 JANTX2N5152L JANTX2N5153 JANTX2N5153L JANTX2N5154 JANTX2N5154L JANTX2N5157 JANTX2N5237 JANTX2N5237S JANTX2N5238 JANTX2N5238S JANTX2N5302 JANTX2N5303 JANTX2N5339 JANTX2N5415 JANTX2N5415S JANTX2N5416

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