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L6385D013TR-3LF

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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L6385D013TR-3LF PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
L6385D013TR-3LF 技术参数
  • L6385D013TR 功能描述:功率驱动器IC Hi-Volt Hi-Low Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6385D 功能描述:功率驱动器IC Hi-Volt Hi-Low Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6385 功能描述:功率驱动器IC Hi-Volt Hi-Low Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6384ED013TR 功能描述:功率驱动器IC HV H-Bridge driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6384ED 功能描述:功率驱动器IC HV H-Bridge driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6386ED L6386ED013TR L6387 L6387D L6387DTR L6387E L6387ED L6387ED013TR L6388 L6388D L6388D013TR L6388E L6388ED L6388ED013TR L6389ED L6389EDTR L6390D L6390DTR
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