M29W400DT55N6E-PBF-IXA745JN

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " M29W400DT55N6E-PBF-IXA745JN " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： M29W400DT55N6F M29W400DT55N6F TR M29W400DT55ZE6E M29W400DT55ZE6F M29W400DT55ZE6F TR M29W400DT70N1 M29W400DT70N6E M29W400DT70N6F M29W400DT70N6F TR

M29W400DT55N6E-PBF-IXA745JN PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

M29W400DT55N6E-PBF-IXA745JN 技术参数

M29W400DT55N6E 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W400DT55N6 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 55 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W400DT45ZE6E 功能描述:闪存 4 Mbit (512 ) 3 V RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W400DT45N6E 功能描述:闪存 4 Mbit (512 ) 3 V RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W400DB70ZE6E 功能描述:闪存 4 MBIT 3V SUPPLY RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W400DT70ZE6E M29W400DT70ZE6F TR M29W400FB55N3E M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F TR M29W400FB5AN6E M29W400FB5AN6F TR M29W400FT55N3E M29W400FT55N3F TR M29W400FT5AZA6F TR M29W512GH70N3E M29W640FB70N6E M29W640FB70N6F M29W640FB70N6F TR M29W640FB70ZA6E M29W640FB70ZA6F TR M29W640FT70N6E M29W640FT70N6F TR