M5M5V4R08J-20

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说明
操作

M5M5V4R08J-20
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
13741
MITSUBISHI/三菱
TSOP
22+
-
原厂原装现货

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制造商
MITSUBISHI
制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述
4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

M5M5V4R08J-20 技术参数

M5M5256DFP-70GI#BM 功能描述:IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M5LV-512/256-7SAI 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 M5LV-512/256-7SAC 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 M5LV-512/256-6SAC 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 M5LV-512/256-20SAI 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 M6,TRGR M6,TRGY M6,TRRD M60 M60/2 M60100 M602-025.0M M602-040.0M M602-049.152M M6020C-2D M6020C-2S M60-30 M6035C-E3/45 M6035P-E3/45 M6044-2-1 M6044-2-3 M6044-3-1 M6044-3-2