MCH3914-8-TL-H

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

MCH3914-8-TL-H
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
55740
onsemi
MCPH-3
2025+
-

MCH3914-8-TL-H
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
72820
onsemi
SC-70, SOT-323
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

MCH3914-8-TL-H
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
90614
ON Semiconductor
MCPH-3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

MCH3914-8-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
645000
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： MCH4000VKIT10 MCH4009-TL-E MCH4009-TL-H MCH4013-TL-E MCH4014-TL-H MCH4015-TL-H MCH4016-TL-H MCH4017-TL-H MCH4020-TL-E

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功能描述
JFET NCH J-FET
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

MCH3914-8-TL-H 技术参数

MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 900mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:SC-70FL/MCPH3 标准包装:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 2A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:800mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:890 毫欧 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:83 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 MCH185FN473ZK 功能描述:0.047μF 50V 陶瓷电容器 Y5V（F） 0603（1608 公制） 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm）制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电容:0.047μF 容差:-20%，+80% 电压 - 额定:50V 温度系数:Y5V（F）安装类型:表面贴装，MLCC 工作温度:-30°C ~ 85°C 应用:通用等级:- 封装/外壳:0603（1608 公制）大小/尺寸:0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.035"（0.90mm）厚度（最大值）:- 引线间距:- 特性:- 引线形式:- 标准包装:10 MCH4020-TL-H MCH4021-TL-E MCH5541-TL-E MCH5837-TL-E MCH5839-TL-H MCH5839-TL-W MCH5908G-TL-E MCH5908H-TL-E MCH6001-TL-E MCH6101-TL-E MCH6102-TL-E MCH6103-TL-E MCH6121-TL-H MCH6122-TL-E MCH6122-TL-H MCH6123-TL-E MCH6124-TL-E MCH6202-TL-E