MIC5029-5.0BM

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MIC5029-5.0BM
深圳市时兴宇电子有限公司
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MIC5029-5.0BM 技术参数

MIC5021YN 功能描述:功率驱动器IC High Speed High Side MOSFET Driver - Lead Free RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MIC5021YM-TR 功能描述:IC DRIVER MOSFET HISIDE HS 8SOIC 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:高压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 36 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:400ns，400ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 MIC5021YM 功能描述:功率驱动器IC High Speed High Side MOSFET Driver - Lead Free RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MIC5021BN 功能描述:IC DRIVER MOSFET HI SIDE HS 8DIP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 MIC5021BM 功能描述:IC DRIVER MOSFET HISIDE HS 8SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 MIC5156-3.3BM-TR MIC5156-3.3BN MIC5156-3.3YM MIC5156-3.3YM-TR MIC5156-3.3YN MIC5156-5.0BM MIC5156-5.0BM-TR MIC5156-5.0BN MIC5156-5.0YM MIC5156-5.0YM-TR MIC5156-5.0YN MIC5156BM MIC5156BM-TR MIC5156BN MIC5156YM MIC5156YM-TR MIC5156YN MIC5157BM