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MLP2012S2R2MT0S1

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  • MLP2012S2R2MT0S1
    MLP2012S2R2MT0S1

    MLP2012S2R2MT0S1

  • 广东济德精密电子有限公司
    广东济德精密电子有限公司

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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  • 深圳市芯脉实业有限公司
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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
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    联系人：陈先生

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人：李先生

    电话：13760200702

    地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质：营业执照

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  • 北京力通科信电子有限公司
    北京力通科信电子有限公司

    联系人：韩小姐

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MLP2012S2R2MT0S1 PDF下载
  • 功能描述
  • 2.2μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 299 mOhm Max 0805 (2012 Metric)
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • MLP
  • 包装
  • 剪切带（CT）
  • 零件状态
  • 有效
  • 类型
  • 多层
  • 材料 - 磁芯
  • 铁氧体
  • 电感
  • 2.2μH
  • 容差
  • ±20%
  • 额定电流
  • 800mA
  • 电流 - 饱和值
  • -
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 电阻（DCR）
  • 299 毫欧最大
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 频率 - 自谐振
  • -
  • 等级
  • -
  • 工作温度
  • -40°C ~ 125°C
  • 频率 - 测试
  • 2MHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 0805（2012 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）
  • 高度 - 安装（最大值）
  • 0.039"（1.00mm）
  • 标准包装
  • 1
MLP2012S2R2MT0S1 技术参数
  • MLP2012S1R5T 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 700mA 270 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:700mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:270 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 MLP2012S1R5MT0S1 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1A 208 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:208 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 MLP2012S1R0T 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 299 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:299 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.022"（0.55mm） 标准包装:1 MLP2012S1R0MT0S1 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1A 208 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:208 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 MLP2012HR54MT0S1 功能描述:540nH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 84.5 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:540nH 容差:±20% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:84.5 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 MLP2012V1R0MT0S1 MLP2012V1R0T MLP2012V1R0TT MLP2012V1R0TT0S1 MLP2012V1R5MT MLP2012V1R5MT0S1 MLP2012V2R2MT MLP2012V2R2MT0S1 MLP2012V4R7MT MLP2012V4R7MT0S1 MLP2012VR47MT0S1 MLP2016H1R0MT MLP2016H1R0MT0S1 MLP2016H1R5MT MLP2016H1R5MT0S1 MLP2016H2R2MT MLP2016H2R2MT0S1 MLP2016H3R3MT
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