MRF581G全国供应商 MRF581G资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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封装
批号
价格
说明
操作

MRF581GMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
MacroX
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

MRF581G
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
6880
MOTOROLA
N/A
24+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

MRF581G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
876500
MICROSEMI
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

MRF581G
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9766
MICROSEMI
SOT-143
12+
-
绝对公司原装现货

MRF581G
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
16865
Microsemi Corporation
Micro-X ceramic (84C
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

MRF581G
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
20895
MOTOROL
假一赔十
16+
-
原装现货/特价

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功能描述
TRANS NPN 18V 200MA MACRO X
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)
系列
-
产品变化通告
Product Discontinuation 17/Dec/2010
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
4.7V
频率 - 转换
47GHz
噪声系数（dB典型值@频率）
0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益
9dB ~ 31dB
功率 - 最大
160mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
160 @ 25mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
45mA
安装类型
表面贴装
封装/外壳
4-SMD，扁平引线
供应商设备封装
4-TSFP
包装
Digi-Reel®
其它名称
BFP 740FESD E6327DKR

MRF581G 技术参数

MRF455 功能描述:TRANS RF NPN 18V 15A 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:18V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:13dB 功率 - 最大值:60W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07、STYLE 1 标准包装:10 MRF454 功能描述:TRANS RF NPN 25V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:12dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 5A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:10 MRF448 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:14dB 功率 - 最大值:250W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:30 MRF429 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:30 MRF428 功能描述:TRANS RF NPN 55V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:55V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:10 MRF5S18060NBR1 MRF5S18060NR1 MRF5S19060MBR1 MRF5S19060MR1 MRF5S19060NBR1 MRF5S19060NR1 MRF5S19090HR3 MRF5S19090HR5 MRF5S19090HSR3 MRF5S19090HSR5 MRF5S19100HR3 MRF5S19100HR5 MRF5S19100HSR3 MRF5S19100HSR5 MRF5S19130HR3 MRF5S19130HR5 MRF5S19130HSR3 MRF5S19130HSR5

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