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MSG180Q41

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MSG180Q41 技术参数

MSG150 功能描述:Diode Schottky 50V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:580mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 MSG145 功能描述:Diode Schottky 45V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:580mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 MSG140 功能描述:Diode Schottky 40V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:580mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 MSG110 功能描述:Diode Schottky 100V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:830mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 MSG109 功能描述:Diode Schottky 90V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:90V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:810mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 90V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 MSG3U-FB2 MSG3U-FC1 MSG3U-PK1 MSG3U-PK2 MSG41P-1Y1 MSG41P-2Y1 MSG41RR-1BPFK MSG41RR-1FPFK MSG41RR-1FPK MSG41RR-2BPFK MSG41RR-2FPFK MSG41RR-2FPK MSG59RF-L111 MSG5A KIT MSG5AP-1Y0-S MSG5AP-1Y0-S ABCDE MSG5AP-1Y1-S MSG5AP-1Y1-S ABCDE