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MT-4R-A210

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MT-4R-A210
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
931611
Honeywell Sensing and Pro
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MT-4R-A210 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

MT-4R-A210 技术参数

MT-4R 功能描述:SWITCH SNAP ACTION SPDT 10A 125V 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:MT 包装:散装零件状态:有效电路:SPDT 开关功能:开-瞬时额定电流:10A（AC/DC）额定电压 - AC:125V 额定电压 - DC:125V 致动器类型:圆形（针状冲杆）安装类型:底座安装端子类型:焊片侵入防护:- 特性:- 操作力，扭矩:340 ~ 510gf 释放力:141.7gf 预行程:0.040"（1.0mm）差动行程:0.007"（0.18mm）超行程:0.005"（0.13mm）工作位置:0.625"（15.9mm）机械寿命:- 电气寿命:- 工作温度:-55°C ~ 82°C 标准包装:5 MT4LSDT1664HY-13ED1 功能描述:MODULE SDRAM 128MB 144SODIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件状态:过期存储器类型:SDRAM 存储容量:128MB 速度:133MHz 封装/外壳:144-SODIMM 标准包装:100 MT4LSDT1664AY-133D1 功能描述:MODULE SDRAM 128MB 168UDIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件状态:过期存储器类型:SDRAM 存储容量:128MB 速度:133MHz 封装/外壳:168-UDIMM 标准包装:100 MT4HTF6464HZ-667H1 功能描述:MOD DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件状态:过期存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:512MB 速度:667MT/s 封装/外壳:200-SODIMM 标准包装:100 MT4HTF6464HY-667E1 功能描述:MOD DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件状态:过期存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:512MB 速度:667MT/s 封装/外壳:200-SODIMM 标准包装:100 MT4VDDT1664HG-265F3 MT4VDDT1664HG-26AC3 MT4VDDT1664HG-335F3 MT4VDDT1664HY-335F3 MT4VDDT1664HY-335K1 MT4VDDT1664HY-335M1 MT4VDDT1664HY-40BK1 MT4VDDT1664WG-265F1 MT4VDDT3232UY-6K1 MT4VDDT3264AY-40BF1 MT4VDDT3264AY-40BJ1 MT4VDDT3264HG-335F2 MT4VDDT3264HG-40BF2 MT4VDDT3264HIY-335J1 MT4VDDT3264HY-335F2 MT4VDDT3264HY-335J1 MT4VDDT3264HY-40BF2 MT4VDDT3264HY-40BJ1