MURS360-E3/9AT全国供应商【买卖IC网】MURS360-E3/9AT资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

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价格
说明
操作

MURS360-E3/9AT
深圳市引芯科技发展有限公司
深圳市引芯科技发展有限公司
联系人：销售部经理：林小姐
电话：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田区福华路世贸广场C座1106/香港办事处:香港大理石
3605
Vishay Semiconductors
标准封装
25+
-
真实的资源竭诚服务您！

MURS360-E3/9AT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
vishay
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

MURS360-E3/9AT
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
VISHAY/威世
DO-214AB-2
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

MURS360-E3/9AT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
vishay
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

MURS360-E3/9AT
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
VIS
原厂封装
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

MURS360-E3/9AT
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3500
GENERAL SEMICONDUCTOR (VI
价格优势
2421
-
全新原装渠道现货

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1

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功能描述
整流器 600 Volt 3.0A 50ns 125 Amp IFSM
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

MURS360-E3/9AT 技术参数

MURS320TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A SMC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC（DO-214AB）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 MURS120TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 MURF860 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.2V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC 供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:70A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 70A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MURS360SHE3/5BT MURS360SHE3_A/H MURS360SHE3_A/I MURS360S-M3/52T MURS360S-M3/5BT MURS360T3 MURS360T3G MURS480ET3G MURT10005 MURT10005R MURT10010 MURT10010R MURT10020 MURT10020R MURT10040 MURT10040R MURT10060 MURT10060R