NAND256W3A0BN6E

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价格
说明
操作

NAND256W3A0BN6E
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
Micron
48-TFSOP
22+
-
原厂渠道，现货配单

NAND256W3A0BN6E
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-621049316210489162104578
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Micron Technology Inc.
标准封装
16+
-
假一罚十

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1

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制造商
Micron Technology Inc
功能描述
NAND - Trays

NAND256W3A0BN6E 技术参数

NAND256W3A0BE06 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND256W3A0AN6F 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND256W3A0AN6E 功能描述:闪存 2.7-3.6V 256M(32Mx8) RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND256W3A0AN6 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND256R3A2BZA6E 功能描述:闪存 128 Mbit 256 Mbit 512 Mbit 1 Gbit RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND256W3A2BZAXE NAND256W4A0AN6E NAND32GW3F4AN6E NAND512R3A2AZA6E NAND512R3A2BZA6E NAND512R3A2CZA6E NAND512R3A2DZA6E NAND512R3A2SE06 NAND512R3A2SN6E NAND512R3A2SN6F NAND512R3A2SZA6E NAND512R3A2SZA6F NAND512R3A2SZAXE NAND512R3A3AZA6E NAND512W3A0AN6 NAND512W3A0AN6E NAND512W3A0AV6E NAND512W3A2BN6E