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NIS321-0463-00

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NIS321-0463-00
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
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一级代理，原装正品现货！！

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NIS321-0463-00 技术参数

NIS1050MNTBG 功能描述:接口 - 专用 PROTECTION IC FOR PMIC RoHS:否制造商:Texas Instruments 产品类型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作电源电压:1.8 V 电源电流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:BGA-59 NIMD6001ANR2G 功能描述:MOSFET 60V 3.3A 130 MOHM DUAL RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T3G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T1G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T1 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIS5112D1R2G1 NIS5112D2R2G NIS5132-35GEVB NIS5132MN1-FN-7 NIS5132MN1TXG NIS5132MN2-FN-7 NIS5132MN2TXG NIS5132MN3TXG NIS5135MN1-FN-7 NIS5135MN1TXG NIS5135MN2-FN-7 NIS5135MN2TXG NIS5232-35GEVB NIS5232MN1TXG NIS5431MT1GEVB NIS5431MT1TXG NIS5452MT1GEVB NIS5452MT1TWG