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PDTA123TMB
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
300000
NEXPERIA/安世
SOT883B
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PDTA123TMB,315
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
4454
NXP USA Inc.
SC-101, SOT-883
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

PDTA123TMB,315
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生/曹先生
电话：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
9256
Nexperia
DFN-1006-3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

PDTA123TMB,315
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
3-DFN1006B（0.6x1）
18+
-
Pre-Biased Bipolar T...

PDTA123TMB
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
315
5000
1521+
NXP SEMIC
-

PDTA123TMB,315
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT883
15+
-
原装正品，价格优势！

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
TRANS PNP W/RES 50V SOT883B
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B, Transistor Polarity

PDTA123TMB 技术参数

PDTA123JU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10μA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 标准包装:1 PDTA123JT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 PDTA123ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:2.2 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 PDTA123EM,315 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:2.2 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTA123 标准包装:1 PDTA123EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:2.2k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTA123YT,215 PDTA123YU,115 PDTA124EE,115 PDTA124EK,115 PDTA124EM,315 PDTA124EMB,315 PDTA124EQAZ PDTA124ES,126 PDTA124ET,215 PDTA124ET,235 PDTA124EU,115 PDTA124EU,135 PDTA124TE,115 PDTA124TK,115 PDTA124TM,315 PDTA124TMB,315 PDTA124TS,126 PDTA124TT,215

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