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PDTC114TE,115

配单专家企业名单
  • 型号
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  • PDTC114TE,115
    PDTC114TE,115

    PDTC114TE,115

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人：郑女士

    电话：15338868823

    地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010

    资质：营业执照

  • 57945

  • NXP/恩智浦

  • SOT-416 (SC-75)

  • 2025+

  • -

  • PDTC114TE,115
    PDTC114TE,115

    PDTC114TE,115

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人：曹先生/高先生/周小姐

    电话：134878658521852080514813760272017

    地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 47707

  • NXP USA Inc.

  • SC-75, SOT-416

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • PDTC114TE,115
    PDTC114TE,115

    PDTC114TE,115

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质：营业执照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 标准封装

  • 15+

  • -

  • 原装正品，假一罚十

  • PDTC114TE,115
    PDTC114TE,115

    PDTC114TE,115

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • PHILIPS

  • 香港库存，来电查询订购，可长期订货

  • 贴片

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • PDTC114TE,115
    PDTC114TE,115

    PDTC114TE,115

  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人：柯先生/赵小姐

    电话：0755-83665813

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B

    资质：营业执照

  • 54000

  • NXP

  • N/A

  • -

  • 低至：￥0.101[国外订货]

  • 1/1页 40条/页 共22条 
  • 1
PDTC114TE,115 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
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  • 功能描述
  • 开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶体管极性
  • NPN/PNP
  • 典型输入电阻器
  • 典型电阻器比率
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作频率
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 50 V
  • 集电极连续电流
  • 150 mA
  • 峰值直流集电极电流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作温度
  • 封装
  • Reel
PDTC114TE,115 技术参数
  • PDTC114EU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 基本零件编号:PDTC114 标准包装:1 PDTC114ET,235 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23） 基本零件编号:PDTC114 标准包装:1 PDTC114ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23） 基本零件编号:PDTC114 标准包装:1 PDTC114EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTB123YT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23） 标准包装:1 PDTC114YE,135 PDTC114YEF,115 PDTC114YK,115 PDTC114YM,315 PDTC114YMB,315 PDTC114YQAZ PDTC114YS,126 PDTC114YT,215 PDTC114YTVL PDTC114YU,115 PDTC114YUF PDTC115EE,115 PDTC115EEF,115 PDTC115EK,115 PDTC115EM,315 PDTC115EMB,315 PDTC115ES,126 PDTC115ET,215
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