配单专家企业名单

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批号
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说明
操作

PH5830DLX
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
79500
NXP/恩智浦
SMD
22+
-
原厂原装现货

PH5830DL
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13620
NXP
SOT669
23+
-
只做全新原装正品现货

PH5830DL
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
8563
NXP/恩智浦
SOT-669
2022
-
全新原装现货支持BOM表配单

PH5830DL
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
32232
NXP/恩智浦
sot-669
23+
-
终端免费提样，可开票

PH5830DL
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NXP/恩智浦
LFPAK
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PH5830DL,115
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
NXP
-
22+
-
原厂渠道，现货配单

PH5830DL
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NXP
SOT669
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PH5830DL
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
250
NXP
SOT669
1340+
-
原装现货/特价

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PH5830DL 技术参数

PH5330E,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2010pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PH50S280-15 功能描述:Isolated Module DC DC Converter 1 Output 15V 3.4A 200V - 400V Input 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-S 包装:- 零件状态:在售类型:隔离模块输出数:1 电压 - 输入（最小值）:200V 电压 - 输入（最大值）:400V 电压 - 输出 1:15V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:3.4A 功率（W） - 制造系列:50W 电压 - 隔离:3kV（3000V）应用:ITE（商业）特性:远程开/关，OCP，OTP，OVP 安装类型:通孔封装/外壳:模块大小/尺寸:3.85" 长 x 2.83" 宽 x 0.50" 高（86.0mm x 72.0mm x 12.7mm）工作温度:-20°C ~ 85°C 效率:- 功率（W） - 最大值:50W 标准包装:1 PH4840S,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:94.5A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3660pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.1 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PH4530L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1972pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PH3N-76.2-25.4-0.07-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3n 零件状态:有效类型:散热片冷却封装:分类（BGA，LGA，CPU，ASIC……）接合方法:胶合剂形状:矩形长度:3.000"（76.20mm）宽度:1.000"（25.40mm）直径:- 离基底高度（鳍片高度）:0.003"（0.07mm）不同温升时功率耗散:- 不同强制气流时的热阻:- 自然条件下热阻:- 材料:铜材料镀层:聚酯标准包装:1 PH600S280-28 PH600S280-3.3 PH600S280-48 PH600S280-5 PH6030AL,115 PH6030L,115 PH6-041 PH6-071 PH6325L,115 PH6530AL,115 PH6625E PH6664G PH7030AL,115 PH7030ALS,115 PH7030L,115 PH7-261 PH7261G PH7264H