PMBFJ174,215

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封装
批号
价格
说明
操作

PMBFJ174,215
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1725+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

PMBFJ174,215
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
57945
NXP/恩智浦
SOT-23
2025+
-

PMBFJ174,215
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOT-23（TO-236AB）
18+
-
JFET P-CH 30V 0.3W S...

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功能描述
JFET JFET P-CH 30V 5MA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

PMBFJ174,215 技术参数

PMBFJ113,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:100 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ112,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:50 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ111,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:20mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:10V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:30 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ110,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:10mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:4V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:18 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 PMBFJ109,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:40mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:6V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:12 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 PMBS3906,215 PMBS3906,235 PMBT2222,215 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235