PMN50UPE,115全国供应商【买卖IC网】PMN50UPE,115资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMN50UPE,115
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
22550
NXP
TSOP6
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PMN50UPE,115
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PMN50UPE,115
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
77167
NXP USA Inc.
SC-74, SOT-457
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

PMN50UPE,115
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
NXP
SC-74
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

PMN50UPE,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
6-TSOP
18+
-
MOSFET P-CH 20V 3.6A...

PMN50UPE,115
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT457
15+
-
原装正品，价格优势！

1/1页 40条/页共20条
1

您是不是要找： PMN50XP,165 PMN52XPX PMN55LN,135 PMN6-3R-2K PMN6-5R-2K PMN70EPEX PMN70XPE,115 PMN70XPEAX PMN70XPX

PMN50UPE,115 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PMN50UPE,115 PDF下载

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PMN50UPE/SC-74/REEL7// - Tape and Reel
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET P-CH SINGLE 20V 6TSOP

PMN50UPE,115 技术参数

PMN49EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:47 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 30V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN48XP,125 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 2.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN48XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 2.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN45EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:495pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN42XPEAH 功能描述:PMN42XPEA SOT457 SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1410pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:46 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN80XP,115 PMNF1-3F-3K PMNF1-3F-C PMNF1-3R-3K PMNF1-3R-C PMNF1-3R-X PMNF1-4F-3K PMNF1-4F-C PMNF1-4R-C PMNF1-4R-X PMNF1-5F-C PMNF1-5R-C PMNF1-5R-X PMNF2-3F-3K PMNF2-3F-C PMNF2-3R-3K PMNF2-3R-C PMNF2-3R-X