PMN50XP165

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PMN50XP165
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NXP
SOT457
08+
-

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北京元坤伟业科技有限公司
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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP

PMN50XP165 技术参数

PMN50UPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:24pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:66 毫欧 @ 3.6A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN49EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:47 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 30V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN48XP,125 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 2.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN48XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 2.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN45EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:495pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMNF1-3F-3K PMNF1-3F-C PMNF1-3R-3K PMNF1-3R-C PMNF1-3R-X PMNF1-4F-3K PMNF1-4F-C PMNF1-4R-C PMNF1-4R-X PMNF1-5F-C PMNF1-5R-C PMNF1-5R-X PMNF2-3F-3K PMNF2-3F-C PMNF2-3R-3K PMNF2-3R-C PMNF2-3R-X PMNF2-4F-3K