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PMPB13XNE,115

配单专家企业名单
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  • PMPB13XNE,115
    PMPB13XNE,115

    PMPB13XNE,115

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • DFN-2020MD-6

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PMPB13XNE,115
    PMPB13XNE,115

    PMPB13XNE,115

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 60000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1220

  • -

  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • PMPB13XNE,115
    PMPB13XNE,115

    PMPB13XNE,115

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 8

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -

  • 场效应管

  • PMPB13XNE,115
    PMPB13XNE,115

    PMPB13XNE,115

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人：许先生

    电话：18898761413

    地址：华强北都会轩4507

    资质：营业执照

  • 12500

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1220

  • 24+

  • -

  • 原装正品，可含税供应。品质保障

  • PMPB13XNE,115
    PMPB13XNE,115

    PMPB13XNE,115

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • PMPB13XNE,115
    PMPB13XNE,115

    PMPB13XNE,115

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人：高先生/周小姐/曹先生

    电话：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 77194

  • NXP USA Inc.

  • 6-XFDFN Exposed Pad

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • PMPB13XNE,115
    PMPB13XNE,115

    PMPB13XNE,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • 6-DFN2020MD（2x2）

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 30V 8A 6...

  • PMPB13XNE,115
    PMPB13XNE,115

    PMPB13XNE,115

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人：丁皓鹏

    电话：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质：营业执照

  • 10000

  • PHA

  • SOT1220

  • 15+

  • -

  • 原装正品，价格优势！

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN EP T/R
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PMPB13XNE/SOT1220/REEL7// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOFSET N-CH 30V SGL SOT1220
PMPB13XNE,115 技术参数
  • PMPB12UNEX 功能描述:MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.4A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1220pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:470mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 7.9A, 4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB12UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.9A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 7.9A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:886pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 标准包装:1 PMPB11EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:840pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB10XNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:34nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2175pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 9A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB10XNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:34nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2175pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 9A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB20SNAX PMPB20UN,115 PMPB20XNEAX PMPB20XNEAZ PMPB20XPE,115 PMPB215ENEA/FX PMPB215ENEAX PMPB23XNE,115 PMPB23XNEZ PMPB25ENEAX PMPB27EP,115 PMPB29XNE,115 PMPB29XPE,115 PMPB33XN,115 PMPB33XP,115 PMPB40ENAX PMPB40SNA,115 PMPB43XPE,115
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