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PMXB65ENEZ

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PMXB65ENEZ
    PMXB65ENEZ

    PMXB65ENEZ

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 50000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1215

  • -
  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • PMXB65ENEZ
    PMXB65ENEZ

    PMXB65ENEZ

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 18210

  • NXP/恩智浦

  • SOD68

  • 24+

  • -
  • 全新原装正品现货热卖

  • PMXB65ENEZ
    PMXB65ENEZ

    PMXB65ENEZ

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1215

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PMXB65ENEZ
    PMXB65ENEZ

    PMXB65ENEZ

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 367598

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PMXB65ENEZ
    PMXB65ENEZ

    PMXB65ENEZ

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 66

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 集成电路(IC)

  • PMXB65ENEZ
    PMXB65ENEZ

    PMXB65ENEZ

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 367598

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PMXB65ENEZ
    PMXB65ENEZ

    PMXB65ENEZ

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 367598

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • PMXB65ENEZ
    PMXB65ENEZ

    PMXB65ENEZ

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:曹先生/高先生/周小姐

    电话:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 64547

  • NXP Semiconductors

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • PMXB65ENEZ
    PMXB65ENEZ

    PMXB65ENEZ

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • DFN1010D-3

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 30V 3.2A...

  • PMXB65ENEZ
    PMXB65ENEZ

    PMXB65ENEZ

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 10000

  • PHA

  • SOT1215

  • 15+

  • -
  • 原装正品,价格优势!

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PMXB65ENE/DFN1010D-3/REEL90DEGREET// - Tape and Reel
PMXB65ENEZ 技术参数
  • PMXB65ENE 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):11nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):295pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):67 毫欧 @ 3.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMXB56ENZ 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):6.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):209pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 3.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMXB56EN 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):6.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):209pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 3.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMXB43UNE 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):551pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):54 毫欧 @ 3.2A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMXB40UNE 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):11.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):556pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 3.2A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PM-Y45-P-C3 PM-Y54 PM-Y54P PM-Y64 PM-Y64P PM-Y65 PM-Y65-P PMZ1000UN,315 PMZ1200UPEYL PMZ130UNEYL PMZ200UNEYL PMZ250UN,315 PMZ270XN,315 PMZ290UNE2YL PMZ290UNEYL PMZ290UNYL PMZ320UPEYL PMZ350UPEYL
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