您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > P字母型号搜索 > P字母第1529页 >

PMZ250UN,315

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PMZ250UN,315
    PMZ250UN,315

    PMZ250UN,315

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑女士

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1010

    资质:营业执照

  • 57945

  • NXP/恩智浦

  • SOT-883

  • 2025+

  • -
  • PMZ250UN,315
    PMZ250UN,315

    PMZ250UN,315

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 10000

  • PHA

  • SOT883

  • 15+

  • -
  • 原装正品,价格优势!

  • PMZ250UN,315
    PMZ250UN,315

    PMZ250UN,315

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • DFN1006-3

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 20V 2.28...

  • 1/1页 40条/页 共18条 
  • 1
PMZ250UN,315 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET TAPE7 MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PMZ250UN,315 技术参数
  • PMZ200UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):89pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 1.4A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PMZ130UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.8A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):93pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 1.8A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PMZ1200UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):410mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):43.2pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 1.67W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PMZ1000UN,315 功能描述:MOSFET N-CH SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):480mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.89nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):43pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 200mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PM-Y65-P 功能描述:SENSOR SLOT PNP 制造商:panasonic industrial automation sales 系列:PM-65 零件状态:有效 感应距离:0.236"(6mm) 感应方法:可传导的 输出配置:PNP - 开路集电极 安装类型:底座安装 电流 - 电源:15mA 电压 - 电源:5 V ~ 24 V 响应时间:20μs 工作温度:-25°C ~ 55°C(TA) 封装/外壳:模块,连接器,槽型 标准包装:1 PMZ390UNEYL PMZ420UNYL PMZ550UNEYL PMZ600UNELYL PMZ600UNEYL PMZ760SN,315 PMZ950UPELYL PMZ950UPEYL PMZB1200UPEYL PMZB150UNEYL PMZB200UNEYL PMZB290UN,315 PMZB290UNE,315 PMZB290UNE2YL PMZB300XN,315 PMZB320UPEYL PMZB350UPE,315 PMZB370UNE,315
配单专家
PMZ250UN,315相关热门型号

在采购PMZ250UN,315进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买PMZ250UN,315产品风险,建议您在购买PMZ250UN,315相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的PMZ250UN,315信息由会员自行提供,PMZ250UN,315内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号