配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

PMZ270XN
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
21590
nxp
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

PMZ270XN
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NXP/恩智浦
SOT883
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PMZ270XN
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NXP
SOT-883
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

PMZ270XN,315
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT883
15+
-
原装正品，价格优势！

PMZ270XN,315
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
DFN1006-3
18+
-
MOSFET N-CH 20V 2.15...

PMZ270XN
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
315
39905
1521+
NXP SEMIC
-
DIGI-REEL?

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 20V 2.15A SOT883
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 20V, 2.15A, SOT883

PMZ270XN 技术参数

PMZ250UN,315 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 标准包装:1 PMZ200UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:89pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 1.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 PMZ130UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:93pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 1.8A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 PMZ1200UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:410mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43.2pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 PMZ1000UN,315 功能描述:MOSFET N-CH SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:480mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.89nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 PMZ390UNEYL PMZ420UNYL PMZ550UNEYL PMZ600UNELYL PMZ600UNEYL PMZ760SN,315 PMZ950UPELYL PMZ950UPEYL PMZB1200UPEYL PMZB150UNEYL PMZB200UNEYL PMZB290UN,315 PMZB290UNE,315 PMZB290UNE2YL PMZB300XN,315 PMZB320UPEYL PMZB350UPE,315 PMZB370UNE,315

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