PMZB290UN,315

配单专家企业名单

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说明
操作

PMZB290UN,315
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT883B
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PMZB290UN,315
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PMZB290UN,315
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT883
15+
-
原装正品，价格优势！

PMZB290UN,315
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
3-DFN1006B（0.6x1）
18+
-
MOSFET N-CH 20V 1A 3...

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您是不是要找： PMZB290UNE,315 PMZB290UNE2YL PMZB300XN,315 PMZB320UPEYL PMZB350UPE,315 PMZB370UNE,315 PMZB380XN,315 PMZB390UNEYL PMZB420UN,315

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PMZB290UN/XQFN3/REELP2// - Tape and Reel
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 20V SGL XQFN3
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
20V Single N-channel Trench MOSFET

PMZB290UN,315 技术参数

PMZB200UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:89pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 1.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006B-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 PMZB150UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:93pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 1.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006B-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 PMZB1200UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:410mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43.2pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006B-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 PMZ950UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 PMZ950UPELYL 功能描述:20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 PMZB550UNEYL PMZB600UNELYL PMZB600UNEYL PMZB670UPE,315 PMZB790SN,315 PMZB950UPELYL PMZB950UPEYL PN01145AAD PN01147AAD PN01224AAD PN01262AAD PN01868 PN01922 PN05203 PN05205 PN05206 PN05280 PN05508