您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

PSMN7R6-60PS127

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PSMN7R6-60PS127
优势
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
2000
NXP
TO220
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： PSMN7R6-60XSQ PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-120ESQ PSMN7R8-120PSQ PSMN8R0-30YL,115 PSMN8R0-30YLC,115 PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-80YLX

PSMN7R6-60PS127 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PSMN7R6-60PS127 PDF下载

制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
制造商
NXP
功能描述
制造商
NXP Semiconductors
功能描述

PSMN7R6-60PS127 技术参数

PSMN7R6-60PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:92A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:38.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2651pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:149W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN7R6-60BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:92A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:38.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2651pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:149W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN7R6-100BSEJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:128nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7110pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:296W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.6 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN7R5-60YLX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:31nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4570pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN7R5-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:655pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:34W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R5-100ESFQ PSMN8R5-100ESQ PSMN8R5-100PSFQ PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100XSQ PSMN8R5-108ESQ PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R7-100YSFQ PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80PS,127 PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25YLC,115 PSMN9R0-30LL,115 PSMN9R0-30YL,115 PSMN9R1-30YL,115