S29JL032H70TFI210H

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深圳市华芯盛世科技有限公司
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深圳市硅宇电子有限公司
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S29JL032H70TFI210H 技术参数

S29GL512T11TFIV20 功能描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 56TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-T 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:512M（64M x 8）速度:110ns 接口:并联电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:56-TSOP 标准包装:91 S29GL512T11TFIV10 功能描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 56TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-T 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:512M（64M x 8）速度:110ns 接口:并联电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:56-TSOP 标准包装:91 S29GL512T11FHIV20 功能描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-T 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:512M（64M x 8）速度:110ns 接口:并联电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13x11）标准包装:180 S29GL512T11FHIV10 功能描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-T 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:512M（64M x 8）速度:110ns 接口:并联电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13x11）标准包装:180 S29GL512T11DHIV10 功能描述:IC FLASH 512MBIT 110NS 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-T 包装:托盘零件状态:新产品格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:512M（64M x 8）速度:110ns 接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9）标准包装:260 S29JL032J60TFI213 S29JL032J60TFI220 S29JL032J60TFI223 S29JL032J60TFI310 S29JL032J60TFI313 S29JL032J60TFI320 S29JL032J60TFI323 S29JL032J60TFI410 S29JL032J60TFI413 S29JL032J60TFI420 S29JL032J60TFI423 S29JL032J70BHI310 S29JL032J70BHI313 S29JL032J70BHI320 S29JL032J70BHI323 S29JL032J70TFA020 S29JL032J70TFI010 S29JL032J70TFI013