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STB26NM60ND

配单专家企业名单
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  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 885000

  • YXYBDT台湾

  • D2PAKTO-2

  • 2025+

  • -
  • 代理台湾YXYBDT.现货

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 8000

  • ST/意法半导体

  • SOT-263

  • 22+

  • -
  • 终端免费提供样品 可开13%增值税发票

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:曹先生

    电话:13487865852

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 2802

  • STMicroelectronics

  • TO-263-3, D虏Pak (2 L

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-83228629

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

  • 59990

  • ST/意法半导体

  • SOT-263

  • 17+

  • -
  • 100%原装,诚信为本,等你咨询!

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3526

  • ST

  • D2PAK

  • 14+

  • -
  • 原装正品,现货库存,400-800-03...

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  • 1
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  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Tape and Reel
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Cut TR (SOS)
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • 600V, 0.144OHM, 21A, POWERFET W/ FAST DIODE, N-CHANNEL, D2PAK
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • Single N-Channel 600 V 0.175 Ohm 190 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
STB26NM60ND 技术参数
  • STB26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1800pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB26N60M2 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):34nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1360pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):169W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 STB25NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 10.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB25NM60N-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 10.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STB25NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 10.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB30100CTR STB30100TR STB30150CTR STB30200CTR STB3060CTR STB30N65M5 STB30N80K5 STB30NF10T4 STB30NF20 STB30NF20L STB30NM50N STB30NM60N STB30NM60ND STB31N65M5 STB32N65M5 STB32NM50N STB33N60DM2 STB33N60M2
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