STC89C516RD40I

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STC89C516RD40I-PDIP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
STC
原厂封装
06+
-
假一罚十，百分百原装正品

STC89C516RD40I-PLCC
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
STC
原厂封装
06+
-
假一罚十，百分百原装正品

STC89C516RD40I
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NONE
PLCC44
08+
-
全新原装100%正品保证质量

STC89C516RD40I
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NONE
PLCC44
08+
-
全新原装100%正品保证质量

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STC89C516RD40I 技术参数

STC6NF30V 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC5NF30V 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC5NF20V 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC5DNF30V 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 25V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC4054GR 功能描述:电池管理 800mA Linear Li Ion batery chargr RoHS:否制造商:Texas Instruments 电池类型:Li-Ion 输出电压:5 V 输出电流:4.5 A 工作电源电压:3.9 V to 17 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:VQFN-24 封装:Reel STCC5021IQTR STCCP27ATBR STCD1020RDG6F STCD1040RDM6F STCD2400F35F STC-F STCF01PMR STCF02PNR STCF03ITBR STCF03PNR STCF03TBR STCF04TBR STCF05TBR STCF06TBR STCF07PNR STCH02 STCH02TR STCL1100YBFCWY5