STFW24N60M2全国供应商 STFW24N60M2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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说明
操作

STFW24N60M2
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
STM
原厂原装
1701+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

STFW24N60M2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-3PF
25+
-
国产品牌，替代进口

STFW24N60M2
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
66890
ST
TO-3PF
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

STFW24N60M2
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
66890
ST
TO-3PF
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

STFW24N60M2
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-3PF
18+
-
MOSFET N-CH 600V 18A...

STFW24N60M2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2630
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STFW24N60M2
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
300
STM
ORIGONAL
16+
-
2.03432 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? II Plus
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
18A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1060pF @ 100V
功率 - 最大值
48W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PF
供应商器件封装
TO-3PF
标准包装
30

STFW24N60M2 技术参数

STFW1N105K3 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1050V（1.05kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 欧姆 @ 600mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:180pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFV4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STFV3N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220FH 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:939pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STFU6N65 功能描述:N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:在售标准包装:1,000 STFU28N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 20A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1440pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STFW69N65M5 STFW6N120K3 STG009M5CN STG009M6SN STG009PC2DNC70N STG009PC2DX012Q STG009SC2DNC70N STG015M5CN STG015M5LQ STG015M6DQ STG015M6KN STG015M6SN STG015PC2DCC05N STG015PC2DCC05Q STG02511378PCN STG025L2AQ STG025M5 STG025M5CN

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