STFW38N65M5全国供应商 STFW38N65M5资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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价格
说明
操作

STFW38N65M5
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6005
ST/意法半导体
TO-3PF-3
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

STFW38N65M5
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-3PF
25+
-
国产品牌，替代进口

STFW38N65M5
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
14976
STMicroelectronics
TO-3PF-3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

STFW38N65M5
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STFW38N65M5
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-3PF
18+
-
MOSFET N-CH 650V 30A...

STFW38N65M5
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1390
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STFW38N65M5
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
300
STM
ORIGONAL
16+
-
3.72644 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? V
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
95 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
3000pF @ 100V
功率 - 最大值
57W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3 整包
供应商器件封装
TO-3PF
标准包装
30

STFW38N65M5 技术参数

STFW2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1050V（1.05kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 750mA， 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:115pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFW24N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1060pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3PF 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFW1N105K3 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1050V（1.05kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 欧姆 @ 600mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:180pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFV4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STFV3N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220FH 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:939pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STG009M5CN STG009M6SN STG009PC2DNC70N STG009PC2DX012Q STG009SC2DNC70N STG015M5CN STG015M5LQ STG015M6DQ STG015M6KN STG015M6SN STG015PC2DCC05N STG015PC2DCC05Q STG02511378PCN STG025L2AQ STG025M5 STG025M5CN STG025M6CN STG025PC2DNC70N

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